なぜ、サンゴバンのCMPスラリーを用いるのか
材料の研磨速度や研磨された表面の仕上がりは、研磨パッドの相対速度、印加圧力、ウェハとスラリーの化学反応性によって大きく左右されます。また、CMPスラリーに含まれる研磨剤の粒径分布も、ウェハの材料除去速度や欠陥の発生に影響を及ぼします。
サンゴバンは、セラミック粒子製造のノウハウを活かしてスラリーの素材特性、粒度分布を精密に制御した砥粒は、難研削材向け砥粒の特徴を最大限に発揮し、かつ、ウェハのスクラッチを最小限に抑えます。
当社のCMPスラリーの化学的特性は、パワーエレクトロニクス産業において、リーディングサプライヤーです。豊富なCMPスラリーの種類から、研磨に適した基板とスラリーとの化学反応性、研磨特性を期待できるスラリーをご提案します。
サンゴバンのCMPスラリーは、パワーデバイス向けウェハ、研磨プロセスに豊富な実績があり、特に、サファイア、窒化アルミニウム、ガリウム系化合物、炭化ケイ素、窒化物など、様々なウェハを研磨することが可能です。
研磨砥粒は、ダイヤモンド、ジルコニア、アルミナなどの素材のナノスラリーを提供しています。当社のCMP粒子とスラリーは、工業研磨から半導体向けなどの高精度研磨まで、幅広く研磨とラッピングの用途において、優れた表面仕上げと高速な研磨速度を実現します。
＜各種スラリーの概要＞
https://www.saint-gobain.co.jp/jp/cm/product/electronics/elec-applications#slurry
ClasSiC・・・ SiC（炭化ケイ素）基板研磨用
GaiN ・・・ GaN（窒化ガリウム）基板研磨用
FinAl ・・・ サファイア（酸化アルミ）基板研磨用
Signature・・・ シリコン基板向けスラリー
ASL ・・・ Cu膜研磨用
ZSL ・・・ SiO2（二酸化ケイ素）、SiN（窒化ケイ素）研磨用
ぜひ、CMPスラリーの詳細については、お問い合わせください。